ЧИСЛЕННО-АНАЛИТИЧЕСКИЙ ПОДХОД И РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФРОНТАЛЬНЫХ P-N ПЕРЕХОДОВ
Ключові слова:
фотогальванічний прилад, p-n перехід, чисельно-аналітичний розрахунок, вольтамперні характеристики.Анотація
Проведено експериментальні та теоретичні дослідження фотоелектричних елементів на основі монокристалічного кремнію. Розглянуто основні теоретичні апроксимації для опису фронтального близько залягає р-n переходу. Запропоновано чисельно-аналітичний підхід до опису дифузійної моделі бар'єру оптоелектронного приладу. З порівняння експериментальних і теоретичних залежностей показані можливі технологічні особливості, що змінюють струмові характеристики приладу.
Посилання
References:
1. Green M., Zhao J., Wang A. Wenham S. Very high efficiency silicon solar cells – science and technology // IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. – 1999. – VOL. 46, № 10, p.p. 1940–1947.(En)
2. Hausmann S. The sun is rising in the East// Sun & wind energy. – 2010. – № 9. – С. 90–102. (En)
3. Joun Iken Draw and saw – a system comparison // Sun & wind energy. – 2006 – № 2 С. 106–112. (En)
4. Redfield D. Revised model of asymmetric p-n junctions // Applied Physics Letters – 1979, . vol. 35, July 15 – P. 182–184. (En)
5. Gurtov B. Solid-state electronics. Petrozavodsk.: Petrozavodsk GU, 2004 - 312 p.
6. Zee S. Physics of semiconductor devices. Book 1. Tran. English, Moscow:Mir, – 1984.– 456 p.
7. Mazinov A. Pisarenko, L., Shevchenko А. Deviation of the diffusion constants and its effect on the profile of finely-lying p-n junction // Tekhnicheskaia elektrodinamika. – 2012. – special issue of "Power Electronics and Energy Efficiency"– Part 1- P. 204–208 (Rus.).
8. Mazinov A., Shevchenko, A., Bykov M. The asymmetry of the distribution density of the compensated volume charge at the metallurgical pn junction // Journal of Nano-and Electronic Physics – 2012 – Volume 4, № 3, 03026(4cc).
9. Shvets E.,. Golovko Y. The dependence of the distribution of impurities in the crystallization of silicon on the dopant // Electronika i Svyaz. – 2008. – № 1–2 (42–43), P. 14–16.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Енергозбереження. Енергетика. Енергоаудит.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами: Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи, яка через [6 місяців] з дати публікації автоматично стає доступною на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).