ОЦЕНКА ПОТЕРЬ ПРОВОДИМОСТИ ДЛЯ НЕКОТОРЫХ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ
Ключові слова:
MOSFET, Silicon, Silicon Carbide, drain-to-source resistance, high temperature.Анотація
При разработке высокочастотных преобразователей предназначенных для работы в расширенном диапазоне температур от +175С и выше [1], первый вопрос связан с выбором соответствующей элементной базы.Посилання
References:
Mohan, Underland, Riobbins, – Power Electronics, Converters, Applications and Design. Wiley, Second Edition, 1995
2. Ralf Locher - Introduction to Power MOSFETs and Their Applications, Application Note AN-558, National Semiconductor, 1988
3. STB11NM80 Datasheet, загружено с сайта производителя ST-Microelectronics
4. Fairchild Semiconductor Co, Application Note AN9010, July 2000, загружено с сайта http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9010.pdf
5. А. А. Тышко, В. А. Попов, Высокочастотные преобразователи для приборов на основе магнитно-ядерного резонанса, работающие при повышенных температурах. Технічна електродинаміка. Тематичний випуск “Силова електроніка та енергоефективність”. ISSN 1607-7970, Ч. 2. – 2012. – С. 46–48.
6. David Divins, Using Simulation to Estimate MOSFET Junction Temperature in a Circuit Application, загружено с сайта http://www.ansoft.com/firstpass/pdf/ Using_ Simulation_to_ Estimate_MOSFET_Junction_Temperature.pdf
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Енергозбереження. Енергетика. Енергоаудит.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами: Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи, яка через [6 місяців] з дати публікації автоматично стає доступною на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).